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BDV65A PHI

LSSGP091.PDF Hersteller: PHI
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Technische Details BDV65A PHI

Description: TRANS NPN 80V 12A TO218, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-218, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 125 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BDV65A Hersteller : Central Semiconductor Corp LSSGP091.PDF Description: TRANS NPN 80V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
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