Technische Details BDV65A PHI
Description: TRANS NPN 80V 12A TO-218, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-218, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 125 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BDV65A | Central Semiconductor Corp |
 Description: TRANS NPN 80V 12A TO-218Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W |
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| BDV65A | Bourns |
Darlington Transistors 125W 12A NPN |
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| BDV65A | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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| BDV65A |
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 80V 12A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
Description: TRANS NPN 80V 12A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
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| BDV65A |
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Hersteller: Bourns
Darlington Transistors 125W 12A NPN
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| BDV65A |
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Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
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