BDV65B


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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BDV65B BDV65B onsemi bdv65b-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 10A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
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BDV65B BDV65B Central Semiconductor Corp LSSGP091.PDF Description: TRANS NPN 100V 12A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
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BDV65B Bourns bdv65.pdf Darlington Transistors 125W 12A NPN
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BDV65B Central Semiconductor LSSGP091.PDF Bipolar Transistors - BJT
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BDV65B BDV65B onsemi bdv65b-d.pdf LSSGP091.PDF Darlington Transistors 10A 100V Bipolar
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BDV65B bdv65b-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 100V 12A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
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Hersteller: Bourns
Darlington Transistors 125W 12A NPN
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BDV65B LSSGP091.PDF
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
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BDV65B bdv65b-d.pdf LSSGP091.PDF
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 10A 100V Bipolar
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