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BDX33BG

BDX33BG ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details BDX33BG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BDX33BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BDX33BG nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BDX33BG BDX33BG ON Semiconductor bdx33bd.pdf Trans Darlington NPN 80V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BDX33BG BDX33BG onsemi bdx33b-d.pdf Darlington Transistors 10A 80V Bipolar Power NPN
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BDX33BG BDX33BG onsemi bdx33b-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220
Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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BDX33BG BDX33BG ONSEMI ONSM-S-A0014594773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BDX33BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
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BDX33BG BDX33BG ON Semiconductor bdx33bd.pdf Trans Darlington NPN 80V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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Description: ONSEMI - BDX33BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: NPN
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Trans Darlington NPN 80V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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