BDX54CG ON Semiconductor
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Technische Details BDX54CG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 65 W.
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BDX54CG Produktcode: 162677
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 Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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BDX54CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BDX54CG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 MSL: - Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BDX54CG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 65 W |
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BDX54CG | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP |
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