Produkte > NXP USA INC. > BF1109WR,115
BF1109WR,115

BF1109WR,115 NXP USA Inc.


BF1109%28R%2CWR%29.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 9V CMPAK-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 20dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.5dB
Supplier Device Package: CMPAK-4
Voltage - Rated: 11 V
Voltage - Test: 9 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1567+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BF1109WR,115 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET 9V CMPAK-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 800MHz, Configuration: N-Channel Dual Gate, Gain: 20dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 1.5dB, Supplier Device Package: CMPAK-4, Voltage - Rated: 11 V, Voltage - Test: 9 V.

Weitere Produktangebote BF1109WR,115

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BF1109WR,115 BF1109WR,115 Hersteller : NXP Semiconductors bf1109_r_wr_2.pdf Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BF1109WR,115 BF1109WR,115 Hersteller : NXP USA Inc. BF1109%28R%2CWR%29.pdf Description: RF MOSFET 9V CMPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 20dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.5dB
Supplier Device Package: CMPAK-4
Voltage - Rated: 11 V
Voltage - Test: 9 V
Produkt ist nicht verfügbar