BF5030WE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 3V SOT343
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 3 V
Voltage - Rated: 8 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Noise Figure: 1.3dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 24dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 25mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BF5030WE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 3V SOT343, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 3 V, Voltage - Rated: 8 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-SOT343-3D, Noise Figure: 1.3dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Gain: 24dB, Configuration: N-Channel, Frequency: 800MHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 25mA, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BF5030WE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BF5030WE6327HTSA1 |
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