BF821,215 NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 60MHz
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 511+ | 0.14 EUR |
| 748+ | 0.096 EUR |
| 916+ | 0.078 EUR |
| 981+ | 0.073 EUR |
| 1034+ | 0.069 EUR |
| 3000+ | 0.064 EUR |
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Technische Details BF821,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF821,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 50 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BF821,215 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BF821,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 300V 0.05A TO-236ABVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BF821,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF821,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 50 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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BF821,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF821,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 50 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BF821,215 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 300V 0.05A TO-236AB
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TRANS PNP 300V 0.05A TO-236AB
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 0.46 EUR |
| 62+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| BF821,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF821,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 50 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BF821,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 50 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BF821,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF821,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 50 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BF821,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 50 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



