BF822-QR Nexperia
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Technische Details BF822-QR Nexperia
Description: BF822-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BF822-QR | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 250V 0.05A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF822-QR | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 250V 0.05A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BF822-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BF822-QR | Hersteller : NEXPERIA |
BF822-QR NPN SMD transistors |
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BF822-QR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BF822-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BF822-QR | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BF822-Q/SOT23/TO-236AB |
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