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BF823,215

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Produktcode: 142612
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BF823,215 BF823,215 Nexperia bf823.pdf Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 194957 Stücke:
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BF823,215 BF823,215 Nexperia bf823.pdf Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8237 Stücke:
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7854+0.084 EUR
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BF823,215 BF823,215 NEXPERIA PHGLS09929-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.49 EUR
758+0.29 EUR
1129+0.19 EUR
1313+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BF823,215 BF823,215 Nexperia BF823.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT
auf Bestellung 9250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
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BF823,215 BF823,215 Nexperia USA Inc. BF823.pdf Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
59+0.36 EUR
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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BF823,215 BF823,215 NEXPERIA PHGLS09929-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
472+0.49 EUR
758+0.29 EUR
1129+0.19 EUR
1313+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BF823,215 bf823.pdf
BF823,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 194957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8237 Stücke:
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BF823,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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43+0.5 EUR
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BF823,215 PHGLS09929-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BF823,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2399 Stücke:
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300+0.83 EUR
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