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BF823,215

BF823,215 Nexperia

bf823.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BF823,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia bf823.pdf Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia bf823.pdf Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BF823.pdf Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6000+0.11 EUR
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698F0348731E469&compId=BF821.215.pdf?ci_sign=14dc089f3cafb93937556113f445262a92c04e05 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 60MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
300+0.24 EUR
370+0.19 EUR
511+0.14 EUR
1119+0.06 EUR
1185+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698F0348731E469&compId=BF821.215.pdf?ci_sign=14dc089f3cafb93937556113f445262a92c04e05 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 60MHz
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia BF823-3244392.pdf Bipolar Transistors - BJT BF823/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+0.38 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
99000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BF823.pdf Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09929-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09929-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA 144bf821_bf823.pdf Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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BF823,215
Produktcode: 142612
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