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BF823,215

BF823,215 Nexperia

bf823.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BF823,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia bf823.pdf Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia BF823.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 250V .05A PNP BJT
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BF823.pdf Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09929-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09929-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : NEXPERIA 144bf821_bf823.pdf Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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BF823,215 Hersteller : NEXPERIA BF823.pdf BF823.215 PNP SMD transistors
auf Bestellung 3109 Stücke:
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603+0.12 EUR
834+0.086 EUR
878+0.082 EUR
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BF823,215
Produktcode: 142612
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BF823,215 BF823,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BF823.pdf Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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