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BF862.215

BF862.215 NXP

Produktcode: 116950
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Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -20 В
Drain-Strom Idd, A: 0,025 А
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10/
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BF862,215 NXP BF862_3.pdf N-кан. JFET, SOT-23 Транзистори
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BF862,215 BF862,215 NXP USA Inc. BF862.pdf Description: RF MOSFET JFET SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 20 V
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BF862,215 BF862,215 NXP Semiconductors BF862-1125954.pdf RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BF862,215 BF862,215 NXP PHGLS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BF862,215 BF862,215 NXP PHGLS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BF862,215 BF862_3.pdf
Hersteller: NXP
N-кан. JFET, SOT-23 Транзистори
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BF862,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET JFET SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 20 V
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BF862,215
Hersteller: NXP Semiconductors
RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA
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BF862,215 PHGLS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BF862,215
Hersteller: NXP
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BF862,215 PHGLS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BF862,215
Hersteller: NXP
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1364
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rc_series_20150401_1.pdf
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 5,1 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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2 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1352
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RC_series.pdf
2 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 2 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 2452 St.
  • 2452 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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5,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-5R6-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1315
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rc_series_20150401_1.pdf
5,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-5R6-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 5,6 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 21552 St.
  • 21552 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-47R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1236
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rc_series_20150401_1.pdf
47 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-47R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 47 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 19975 St.
  • 19975 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 3521 St.
  • 3521 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.14 EUR
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