BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4V 47GHZ SOT343, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 27dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V, Frequency - Transition: 47GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BF888H6327XTSA1 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BF888H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
auf Bestellung 2709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BF888H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
BF888H6327XTSA1 NPN SMD transistors |
auf Bestellung 2405 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BF888H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4V 47GHZ SOT343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BF888H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BF888H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4V 47GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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