Technische Details BF959G ON Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 625mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 700MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BF959G | onsemi |
 Description: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 625mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 700MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete |
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| BF959G | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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BF959G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 20V VHF NPN |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BF959G |
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Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 625mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 700MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 625mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 700MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
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| BF959G |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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| BF959G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 20V VHF NPN
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