BF998,215 NXP
Hersteller: NXPТранз. Пол. ММ N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двухзатворный Idss=(2…18)mA
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Technische Details BF998,215 NXP
Description: RF MOSFET 8V SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 200MHz, Configuration: N-Channel Dual Gate, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 0.6dB, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 12 V, Voltage - Test: 8 V, Current - Test: 10 mA.
Weitere Produktangebote BF998,215
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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BF998,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
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BF998,215 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 8V SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 200MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 0.6dB Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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BF998,215 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 8V SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 200MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 0.6dB Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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BF998,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors N-CH DUAL GATE 12V VHF/UHF |
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