BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 10V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 27dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.1dB
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
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Technische Details BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 10V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 45MHz, Configuration: N-Channel, Gain: 27dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 2.1dB, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 20 V, Voltage - Test: 10 V, Current - Test: 10 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BF999E6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode
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