Technische Details BFG19SE6327 INFINEON
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 14dB ~ 8.5dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 210mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V, Frequency - Transition: 5.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BFG 19S E6327 | Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 14dB ~ 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 210mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 5.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFG19SE6327 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT |
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BFG 19S E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF Trans |
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| BFG 19S E6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB ~ 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB ~ 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
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| BFG19SE6327 |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF Trans
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