BFG410W,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BFG410W,115 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 54mW, Current - Collector (Ic) (Max): 12mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 22GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: CMPAK-4.
Weitere Produktangebote BFG410W,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BFG410W,115 Produktcode: 133298 |
 Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BFG410W,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 54mW 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
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BFG410W,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 54mW Current - Collector (Ic) (Max): 12mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 |
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BFG410W,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS |
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