BFG410W,115


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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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BFG410W,115 BFG410W,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfg410w_4.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 54mW 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R
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BFG410W,115 BFG410W,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFG410W.pdf Description: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 54mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 22GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
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BFG410W,115 BFG410W,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFG410W-1125704.pdf RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
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