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BFN 24 E6327

BFN 24 E6327 Infineon Technologies

bfn24_bfn26-89892.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR
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Technische Details BFN 24 E6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 360 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFN24E6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
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Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 70MHz
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Part Status: Active
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