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BFN24E6327

INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 165234
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFN 24 E6327 BFN 24 E6327 Infineon Technologies Infineon-BFN24_BFN26-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR
auf Bestellung 5716 Stücke:
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100+0.54 EUR
500+0.33 EUR
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BFN24E6327 Infineon Technologies INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 5470 Stücke:
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BFN 24 E6327 Infineon-BFN24_BFN26-DS-v01_01-en.pdf
BFN 24 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR
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AnzahlPreis
3+1.21 EUR
10+0.85 EUR
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BFN24E6327 INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
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