BFN 26 E6327 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.51 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
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| 3000+ | 0.099 EUR |
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Technische Details BFN 26 E6327 Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 360 mW.
Weitere Produktangebote BFN 26 E6327 nach Preis ab 0.077 EUR bis 0.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| BFN26E6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 BFN26 NPN SMD transistors |
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BFN26(Transistor) Produktcode: 82800
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BFN26E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 360 mW |
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