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BFN26E6327HTSA1

BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfn24_bfn263.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 Infineon bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d BFN26E6327HTSA1 Транзистори
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BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 INFINEON INFNS10738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 INFINEON INFNS10738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFN24_BFN26-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
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BFN26E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 360mW
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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