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BFN27E6327HTSA1

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfn27.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 300V 0.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFN27E6327HTSA1 BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn27.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BFN27E6327HTSA1 BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFN27-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
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