BFP 182W H6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
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Technische Details BFP 182W H6327 Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Power - Max: 250mW, Gain: 22dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BFP182WH6327 | Infineon technologies |
auf Bestellung 8946 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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