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BFP405H6327

BFP405H6327 Infineon Technologies

INFNS30130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
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Technische Details BFP405H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 23dB, Power - Max: 75mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP 405 H6327 BFP 405 H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP405_DS_v02_00_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP 405 H6327 Infineon_BFP405_DS_v02_00_EN.pdf
BFP 405 H6327
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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