BFP420H6801 Infineon technologies


auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BFP420H6801 Infineon technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Frequency - Transition: 25GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Power - Max: 210mW, Gain: 21dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote BFP420H6801

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP420H6801 BFP420H6801 Infineon Technologies INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 210mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP 420 H6801 BFP 420 H6801 Infineon Technologies Infineon_BFP420_DS_v02_00_EN-2309358.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP420H6801 INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 210mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP 420 H6801 Infineon_BFP420_DS_v02_00_EN-2309358.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH