BFP520FH6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1854+ | 0.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BFP520FH6327 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22.5dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP520FH6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BFP520FH6327 | Hersteller : Infineon technologies |
|
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
 |
BFP 520F H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |