BFP 520F H6327 Infineon Technologies
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51+ | 1.02 EUR |
100+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.6 EUR |
1000+ | 0.47 EUR |
3000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details BFP 520F H6327 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22.5dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP 520F H6327 nach Preis ab 0.42 EUR bis 0.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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BFP520FH6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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BFP520FH6327 | Hersteller : Infineon technologies |
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