BFP 650 H6327 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFP 650 H6327 Infineon Technologies

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343, Type of transistor: NPN, Technology: SiGe:C, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: RF, Collector-emitter voltage: 13V, Collector current: 0.15A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT343, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 42GHz.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP650H6327 BFP650H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP650H6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
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BFP 650 H6327 BFP 650 H6327 Infineon Technologies infineonbfp650dsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
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Case: SOT343
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Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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