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BFP 181 E7764

BFP 181 E7764 Infineon Technologies

INFNS27310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
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Technische Details BFP 181 E7764 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 17.5dB ~ 21dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D, Part Status: Active.

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BFP 181 E7764 BFP 181 E7764 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_LNA_BFP181-15449.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFP181E7764 Hersteller : Infineon Technologies INFNS27310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Part Status: Active
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