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BFP 181 E7764

BFP 181 E7764 Infineon Technologies

INFNS27310-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
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Technische Details BFP 181 E7764 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 175mW, Gain: 17.5dB ~ 21dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP 181 E7764 BFP 181 E7764 Infineon Technologies infineon_bfp181_ds_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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