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BFP181E7764HTSA1

BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies

251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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Technische Details BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP181_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies 251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies 251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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BFP181E7764HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP181E7764HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8600 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
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BFP181E7764HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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BFP181E7764HTSA1 251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFP181E7764HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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BFP181E7764HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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