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BFP182WH6327XTSA1

BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies

265bfp182w.pdffileiddb3a30431400ef680114266e035c060bfolderiddb3a3043.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BFP182WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies 265bfp182w.pdffileiddb3a30431400ef680114266e035c060bfolderiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies 265bfp182w.pdffileiddb3a30431400ef680114266e035c060bfolderiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies 265bfp182w.pdffileiddb3a30431400ef680114266e035c060bfolderiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
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BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon_bfp182w_datasheet_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
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BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 INFINEON 2367000.pdf Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 INFINEON 2367000.pdf Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFP182WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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BFP182WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP182WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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10+0.31 EUR
100+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
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BFP182WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
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250+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
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BFP182WH6327XTSA1 2367000.pdf
BFP182WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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814+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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BFP182WH6327XTSA1 2367000.pdf
BFP182WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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814+0.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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