Technische Details BFP183 E7764 INFINEON
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22dB, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT143-4, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP183 E7764
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| BFP 183 E7764 | Infineon Technologies |
 Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BFP183-E7764 | Infineon Technologies |
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT143-4 Part Status: Active |
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BFP183E7764 | Infineon Technologies |
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR |
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BFP 183 E7764 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFP 183 E7764 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
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| BFP183-E7764 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Part Status: Active
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT143-4
Part Status: Active
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| BFP183E7764 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
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| BFP 183 E7764 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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