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BFP193E6327

BFP193E6327 Infineon Technologies

INFNS19215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Part Status: Active
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Technische Details BFP193E6327 Infineon Technologies

Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 18dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT143 (SC-61), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFP193E6327 BFP193E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BFP193E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
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BFP 193 E6327 BFP 193 E6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BFP193_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFP193-E6327
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BFP193 E6327 Hersteller : INFINEON RCS/143 BD
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BFP193E6327
Produktcode: 113898
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