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BFP193E6327

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Produktcode: 113898
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP193E6327 BFP193E6327 Infineon Technologies INFNS19215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
Frequency - Transition: 8GHz
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3355+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3355 Stücke
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BFP193E6327 BFP193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP193E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
298+0.24 EUR
391+0.18 EUR
439+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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BFP 193 E6327 BFP 193 E6327 Infineon Technologies Infineon_BFP193_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.08 EUR
100+0.68 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BFP193-E6327
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BFP193 E6327 INFINEON RCS/143 BD
auf Bestellung 4800 Stücke:
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BFP193E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
Frequency - Transition: 8GHz
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AnzahlPreis
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Mindestbestellmenge: 3355 Stücke
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BFP193E6327 BFP193E6327-dte.pdf
BFP193E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
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BFP 193 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFP193-E6327
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BFP193 E6327
Hersteller: INFINEON
RCS/143 BD
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