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BFP193WH6327XTSA1

BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

166bfp193w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 166bfp193w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP193W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
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Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
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Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP193WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
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Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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BFP193WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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BFP193WH6327XTSA1
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Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
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Bauform - Transistor: SOT-343
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BFP193WH6327XTSA1 INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP193WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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