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BFP196E6327HTSA1

BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies

8561infineon_high_linearity_lna_bfp196.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Dauerkollektorstrom: 65mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT-143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16.5dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
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981+0.14 EUR
1015+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
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787+0.18 EUR
923+0.15 EUR
1055+0.13 EUR
1122+0.12 EUR
1458+0.085 EUR
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477+0.3 EUR
695+0.2 EUR
787+0.17 EUR
923+0.14 EUR
1055+0.12 EUR
1122+0.11 EUR
1456+0.078 EUR
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BFP196_DataSheet_v01_00_EN-3360684.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT-143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16.5dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS10865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11325 Stücke:
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS10865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8561infineon_high_linearity_lna_bfp196.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 700mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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BFP196E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT143
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Frequency: 7.5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8561infineon_high_linearity_lna_bfp196.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8561infineon_high_linearity_lna_bfp196.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8561infineon_high_linearity_lna_bfp196.pdffolderiddb3a30431400ef68011.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP196E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT143
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Frequency: 7.5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
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