BFP196WNH6327XTSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 755+ | 0.19 EUR |
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Technische Details BFP196WNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 7.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BFP196WNH6327XTSA1 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.93 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
auf Bestellung 198000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
auf Bestellung 297000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
auf Bestellung 10355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active |
auf Bestellung 6947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BFP196WNH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 150mA; 700mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.7W Case: SOT343 Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 7.5GHz |
Produkt ist nicht verfügbar |