BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 12mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 55mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55mW, Bauform - Transistor: TSFP, Bauform - HF-Transistor: TSFP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 12mA, Übergangsfrequenz: 25GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BFP405FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.53 EUR
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BFP405FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP405FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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BFP405FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP405FH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BFP405FH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 55mW euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12mA Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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