BFP410H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.5V 0.04A 150mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Technische Details BFP410H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 40mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 25GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BFP410H6327XTSA1 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.62 EUR
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.04A 150mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 13mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.04A 150mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
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| BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT343 Current gain: 60 Mounting: SMD Frequency: 25GHz Application: automotive industry |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BFP410H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 13mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
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