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BFP420FH6327XTSA1

BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies

3511bfp420f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5fileiddb3a3043.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 25GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3511bfp420f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3511bfp420f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BFP420F_DS_v02_00_EN-2309266.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3511bfp420f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0009651501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3511bfp420f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA6802EB73DEAE0D3&compId=BFP420F.pdf?ci_sign=afe946604d1ec31861261cc2d930ed7d8b1c36f1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BFP420FH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA6802EB73DEAE0D3&compId=BFP420F.pdf?ci_sign=afe946604d1ec31861261cc2d930ed7d8b1c36f1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
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