BFP420H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP420H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP420H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 210mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 25GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFP420H6327XTSA1 nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.48 EUR
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BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFP420H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.21W Case: SOT343 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz |
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BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
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| BFP420H6327XTSA1 |
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| BFP420H6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
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