BFP 420 H6740

BFP 420 H6740 Infineon Technologies


Infineon_BFP420_DS_v02_00_EN-2309358.pdf Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFP 420 H6740 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 210mW, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFP420H6740 Hersteller : Infineon technologies INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BFP420H6740 BFP420H6740 Hersteller : Infineon Technologies INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
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