BFP540ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP540ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP540ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BFP540ESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 0.84 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BFP540ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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BFP540ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
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BFP540ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP540ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFP540ESDH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP540ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP540ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
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Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFP540ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFP540ESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ PG-SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
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