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BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BFP540FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f038cf33922
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
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Technische Details BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 20dB, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V, Frequency - Transition: 30GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote BFP540FESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.03 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP540FESDH6327XTSA1 BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP540FESD_DS_v02_00_EN-2309313.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP540FESDH6327XTSA1 BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f038cf33922 Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
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