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BFP540FESDH6327XTSA1

BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

8534infineon_lna_bfp540fesd.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP540FESDH6327XTSA1 BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies 8534infineon_lna_bfp540fesd.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
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BFP540FESDH6327XTSA1 BFP540FESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP540FESDH6327XTSA1 BFP540FESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
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Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TSFP
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
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Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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