BFP620FH7764XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP620FH7764XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 185mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFP620FH7764XTSA1 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1 EUR
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFP620FH7764XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
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