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BFP620H7764XTSA1

BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFP620-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0396db3924
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 185mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
Frequency - Transition: 65GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 185mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP620H7764XTSA1 BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP620-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0396db3924 Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 185mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
Frequency - Transition: 65GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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31+0.69 EUR
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BFP620H7764XTSA1 BFP620H7764XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Dauer-Kollektorstrom: 80mA
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Verlustleistung: 185mW
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP620H7764XTSA1 BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP620_DS_v02_00_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP620H7764XTSA1 BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp620datasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
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Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
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Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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