BFP640E6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 24dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 40GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 866+ | 0.57 EUR |
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Technische Details BFP640E6327 Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 24dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V, Frequency - Transition: 40GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP640E6327 nach Preis ab 4.09 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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| BFP640E6327 | Hersteller : Infineon |
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz |
auf Bestellung 2008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP640E6327 | Hersteller : INF |
07+; |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BFP640E6327 | Hersteller : infineon |
0239+ |
auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BFP640E6327 | Hersteller : Infineon |
02+ BGA |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |