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BFP640ESDH6327XTSA1

Infineon-BFP640ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03b388392a
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP640ESD_DS_v02_00_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.93 EUR
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP640ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03b388392a Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 30dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
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Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
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BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 30dB
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Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
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Part Status: Active
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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74HC00D.653 (SO-14, Nexperia)
Produktcode: 61000
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nxp_74hc_hct00-1319341.pdf
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO14-150
Beschreibung: Vierfach-2-Eingang NAND-Gatter
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 В
Temperatur, °C: -40...+125°C
Logikgatter-Typ: NAND-Gatter
auf Bestellung: 210 St.
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CD4030BM
Produktcode: 58237
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de5e29d01497889fa4173101e9012ee2.pdf
CD4030BM
Hersteller: TID
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Vierfach-Exklusiv-ODER-Gatter
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 3...18 V
Temperatur, °C: -55...+125°C
Logikgatter-Typ: XOR-Gatter
verfügbar: 20 St.
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CD4052BM96
Produktcode: 42258
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd4052b
CD4052BM96
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Multiplexer-Schalter 4-Kanal. Analog-
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 3...20 V
Temperatur, °C: -55...+125°C
verfügbar: 30 St.
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74HC74D
Produktcode: 19302
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datasheetded7bte8uwt6b5wer78f586wbfs.pdf
74HC74D
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Zwei D-Flipflops mit Set und Reset ТМ2 -40...+125 2-6V
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 В
Temperatur, °C: -40...+125°C
Logikgatter-Typ: D-Flip-Flop
verfügbar: 30 St.
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auf Bestellung: 1006 St.
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74HC193D
Produktcode: 2851
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74HC193D
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Binärzähler 4-Bit Vor-/Rückwärts mit Parallel-Lade
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Analog RUS: ІЕ7
Versorgung, V: 2...5 V
Temperatur, °C: -40...+125°C
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
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