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BFP640ESDH6327XTSA1

Infineon-BFP640ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03b388392a
Produktcode: 204585
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP640ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03b388392a Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 30dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 189000 Stücke:
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3000+0.4 EUR
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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452+0.32 EUR
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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403+0.42 EUR
447+0.36 EUR
500+0.35 EUR
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP640ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03b388392a Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 30dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 189593 Stücke:
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22+0.96 EUR
31+0.69 EUR
35+0.61 EUR
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250+0.49 EUR
500+0.48 EUR
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 30dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 30dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
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Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 189593 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
22+0.96 EUR
31+0.69 EUR
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100+0.54 EUR
250+0.49 EUR
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1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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BFP640ESDH6327XTSA1 INFN-S-A0009690632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
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BFP640ESDH6327XTSA1 infineonbfp640esddatasheetv0300en.pdf
BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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BFP640ESDH6327XTSA1 INFN-S-A0009690632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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