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BFP640FH6327XTSA1

BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 23dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V, Frequency - Transition: 40GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 40GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Gain: 23dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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28+0.65 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
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Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
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Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 40GHz
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Gain: 23dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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