BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 42GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BFP640FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.67 EUR
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BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
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| BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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BFP640FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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