BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 42GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BFP640FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 693000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP |
auf Bestellung 5147870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
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| 1235+ | 0.52 EUR |
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1235+ | 0.52 EUR |
| 10000+ | 0.46 EUR |
| 100000+ | 0.38 EUR |
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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| 1235+ | 0.52 EUR |
| 10000+ | 0.46 EUR |
| 100000+ | 0.38 EUR |
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
auf Bestellung 5147870 Stücke:
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| 819+ | 0.71 EUR |
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 202+ | 0.86 EUR |
| 291+ | 0.58 EUR |
| 296+ | 0.56 EUR |
| 363+ | 0.45 EUR |
| 366+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 320 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 3000+ | 0.45 EUR |
| 6000+ | 0.44 EUR |
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BFP640FH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 111 Stücke:
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