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BFP640H6327XTSA1

BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies

35147524211130612bfp640.pdffileiddb3a30431400ef6801142747c1a1071dfolderiddb3a30431.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 35147524211130612bfp640.pdffileiddb3a30431400ef6801142747c1a1071dfolderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 35147524211130612bfp640.pdffileiddb3a30431400ef6801142747c1a1071dfolderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03a9ca3928 Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 40GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 35147524211130612bfp640.pdffileiddb3a30431400ef6801142747c1a1071dfolderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03a9ca3928 Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 40GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC5C0EE5DD820&compId=Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf?ci_sign=8598667148023825c70ff370d5b13105b6eb907b Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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114+0.63 EUR
145+0.49 EUR
182+0.39 EUR
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC5C0EE5DD820&compId=Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf?ci_sign=8598667148023825c70ff370d5b13105b6eb907b Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BFP640_DS_v03_00_EN-2309171.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Anzahl Preis
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10+0.42 EUR
100+0.35 EUR
250+0.34 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2197 Stücke:
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 35147524211130612bfp640.pdffileiddb3a30431400ef6801142747c1a1071dfolderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 35147524211130612bfp640.pdffileiddb3a30431400ef6801142747c1a1071dfolderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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