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BFP650FH6327XTSA1

BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Technische Details BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 42GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp650f-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp650f-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp650f-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp650f-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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612+0.29 EUR
619+0.27 EUR
625+0.26 EUR
631+0.25 EUR
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644+0.23 EUR
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.33 EUR
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp650f-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfp650f-datasheet-v03_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP650F_DS_v02_00_EN-2309343.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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6+0.64 EUR
10+0.46 EUR
100+0.42 EUR
500+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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24+0.88 EUR
34+0.62 EUR
38+0.55 EUR
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500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
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284+0.88 EUR
417+0.56 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 5900 Stücke:
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725+0.24 EUR
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Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 2774 Stücke:
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658+0.26 EUR
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Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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658+0.26 EUR
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Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
625+0.27 EUR
638+0.26 EUR
644+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
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619+0.27 EUR
625+0.26 EUR
631+0.25 EUR
638+0.24 EUR
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1000+0.21 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1284+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1284 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1284+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 3956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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6+0.64 EUR
10+0.46 EUR
100+0.42 EUR
500+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17172 Stücke:
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34+0.62 EUR
38+0.55 EUR
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250+0.44 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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BFP650FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP650FH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.88 EUR
417+0.56 EUR
486+0.44 EUR
506+0.43 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP650FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP650FH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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417+0.56 EUR
486+0.44 EUR
506+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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