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BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Technische Details BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-TSFP, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Frequency - Transition: 42GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 500mW, Gain: 11dB ~ 21.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote BFP650FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP650F_DS_v02_00_EN-2309343.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 3956 Stücke:
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10+0.39 EUR
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BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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34+0.52 EUR
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
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