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BFP 650 H6327

BFP 650 H6327 Infineon Technologies

Infineon_BFP650_DS_v02_00_EN-2309382.pdf Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFP 650 H6327 Infineon Technologies

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343, Mounting: SMD, Case: SOT343, Kind of package: reel; tape, Kind of transistor: RF, Frequency: 42GHz, Collector-emitter voltage: 13V, Collector current: 0.15A, Type of transistor: NPN, Power dissipation: 0.5W, Polarisation: bipolar, Technology: SiGe:C, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFP650H6327 BFP650H6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BFP650H6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
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BFP650H6327 BFP650H6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BFP650H6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
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BFP 650 H6327 BFP 650 H6327 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bfp650-datasheet-v02_02-en.pdf Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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