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BFP650H6327XTSA1

BFP650H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFP650-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03d00e3930
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 21.5dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Frequency - Transition: 37GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
auf Bestellung 54000 Stücke:
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Technische Details BFP650H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 42GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP650_DS_v02_00_EN-2309382.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP650-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03d00e3930 Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 21.5dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Frequency - Transition: 37GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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BFP650H6327XTSA1 BFP650H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP650H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 21.5dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Frequency - Transition: 37GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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